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2SK3019
Transistor
9
8
V GS = 4V
Pulsed
0.5
0.2
V DS = 3V
Pulsed
200m
100m
V GS = 0V
Pulsed
7
6
5
4
I D = 100mA
I D = 50mA
0.1
0.05
0.02
Ta =? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
50m
20m
10m
5m
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
3
2
1
0.01
0.005
0.002
2m
1m
0.5m
0.2m
? 50 ? 25
0
0
25
50
75
100 125
150
0.001
0.0001 0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
0.1m
0
0.5
1
1.5
CHANNEL TEMPERATURE : Tch ( ° C)
Fig.7 Static drain-source on-state
resistance vs. channel
temperature
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Forward transfer
admittance vs. drain current
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.9 Reverse drain current vs.
source-drain voltage ( Ι )
200m
100m
50m
20m
10m
V GS = 4V
0V
Ta = 25 ° C
Pulsed
50
20
10
Ta = 25 ° C
f = 1MH Z
V GS = 0V
C iss
1000
500
200
100
t d(off)
t f
Ta = 25 ° C
V DD = 5V
V GS = 5V
R G = 10 ?
Pulsed
5m
2m
1m
5
2
C oss
C rss
50
20
10
t r
t d(on)
0.5m
0.2m
1
5
0.1m
0
0.5
1
1.5
0.5
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.10 Reverse drain current vs.
source-drain voltage ( ΙΙ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.11 Typical capacitance vs.
drain-source voltage
DRAIN CURRENT : I D (mA)
Fig.12 Switching characteristics
(See Figures 13 and 14 for
the measurement circuit
and resultant waveforms)
Switching characteristics measurement circuit
Pulse width
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
V DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
V DD
90%
90%
t d (on)
t on
t r
t d (off)
t f
t off
Fig.13 Switching time measurement circuit
Fig.14 Switching time waveforms
Rev.C
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